3D内存芯片效能由于在存储芯片堆叠时使用了IBM的TSV(through-siliconvia；过孔硅)技术，相同面积的芯片将获得10倍于传统芯片的存储容量。与此同时，由于采用了某些内建机制，传输数据消耗的能量将减少70%，传输速度也将提升到标准DDR3芯片的15倍左右。现有产品原型的带宽就已高达128GB/s，为高端DDR3闪存传输速度的10倍，最终成品还会更高。3D内存芯片市场HMC的特性将为

3D封装分类一：封装趋势是叠层封(PoP)；低产率芯片似乎倾向于PoP。二：多芯片封装(MCP)方法，而高密度和高性能的芯片则倾向于MCP。三：以系统级封装(SiP)技术为主，其中逻辑器件和存储器件都以各自的工艺制造，然后在一个SiP封装内结合在一起。目前的大多数闪存都采用多芯片封装（MCP，MultichipPackage），这种封装，通常把ROM和RAM封装在一块儿。多芯封装（MCP）技术是在

3DB电桥特点3DB电桥具有插损小，抑制高，带内波动小，隔离度大，驻波比小的特点。3DB桥插损是3.2，隔离度也是25，驻波一般。但是有两个输出口，比如输入两个30输出就是两个27。3dB电桥的输出口也可随意定，两进一出一进两出两进两出其实都可以，多的一个口接上足够功率的负载就行了。不接负载的其实也就是出厂就断接了,跟另接负载没什么两样的效果。但是，对于驻波比要求高的时候只能用3dB。另外，还要考

3D芯片工艺世界上第一款3D芯片工艺已经准备获取牌照，该工艺来自于无晶圆半导体设计公司BeSang公司。当前包含了内存的平面（2D）芯片必须围绕其内存阵列放置逻辑电路来对比特位进行寻址并提供逻辑功能。把内存和逻辑电路放在一起，意味着必须在二者之间使用较长的内部连线。而BeSang通过将逻辑电路放在芯片的底层，将内存位单元放在顶层，从而将设计更加紧凑，二者之间只需很短的连接线。在BeSang（韩语的

3D晶体管发展历程随着摩尔定律的进步越来越艰难，科学家们也早就意识到了3D结构晶体管的必要性。事实上，Intel早在2002年就宣布了3D晶体管设计，先后经过了单鳍片晶体管展示(2002年)、多鳍片晶体管展示(2003年)、三栅极SRAM单元展示(2006年)、三栅极后栅极(RMG)工艺开发(2007年)，直至今日方才真正成熟。这一突破的关键之处在于，Intel可将其用于大批量的微处理器芯片生产流

近日，龙芯中科完成32核龙芯3D5000初样芯片验证。龙芯3D5000的推出，标志着龙芯中科在服务器CPU芯片领域进入国内领先行列。龙芯中科正在进行龙芯3D5000芯片产品化工作，预计将在2023年上半年向产业链伙伴提供样片、样机。龙芯3D5000通过芯粒（Chiplet）技术把两个3C5000的硅片封装在一起，是一款面向服务器市场的32核CPU产品。龙芯3D5000集成了32个LA464处理器核